IRLML2502
Symbol Micros:
TIRLML2502
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
574 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2556 | 0,1359 | 0,1052 | 0,0972 | 0,0930 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
17368 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2556 | 0,1359 | 0,1052 | 0,0972 | 0,0930 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2556 | 0,1359 | 0,1052 | 0,0972 | 0,0930 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2996 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2556 | 0,1359 | 0,1052 | 0,0972 | 0,0930 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
135000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
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Nettopreis (EUR) | 0,0930 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
271800 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
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Nettopreis (EUR) | 0,0930 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
9029 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1599 |
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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