IRLML2502

Symbol Micros: TIRLML2502
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
574 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2605 0,1385 0,1073 0,0991 0,0948
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
20368 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2605 0,1385 0,1073 0,0991 0,0948
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2605 0,1385 0,1073 0,0991 0,0948
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Standard-Verpackung:
4
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2996 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2605 0,1385 0,1073 0,0991 0,0948
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Standard-Verpackung:
2996
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

Symbol Micros

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