IRLR2905 DPAK

Symbol Micros: TIRLR2905 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP0015;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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