MJD31CT4G

Name: TMJD31c ONS TMJD31c ONS
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMJD31cONS
Price: 0.1990 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD31c ONS

Gehäuse: TO252

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO252
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

7460 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4986	0,3020	0,2318	0,2090	0,1990

Verlustleistung:	1,56W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO252
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5080	0,2809	0,2222	0,2093	0,2027

Anzahl Stück	3+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,4190	0,2481	0,1887	0,1697	0,1615

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3582	0,2364	0,1695	0,1451	0,1381