MJD31C YZPST

Symbol Micros: TMJD31c YZP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
NPN-Transistor; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Parameter
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: YZPST
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: YZPST Hersteller-Teilenummer: MJD31C RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 75+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4182 0,2477 0,1883 0,1694 0,1612
Standard-Verpackung:
75/300
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: YZPST
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN