SI2301 JUXING

Symbol Micros: TSI2301 JUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JUXING Hersteller-Teilenummer: 2301 0.485MM RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0838 0,0330 0,0193 0,0141 0,0129
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole