Pamięci FLASH (wyszukane: 483)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć FLASH
|
Pamięć RAM
|
Liczba wejść/wyjść
|
Zakres napięcia zasilania
|
Częstotliwość
|
Przetwornik A/D
|
Przetwornik D/A
|
Interfejs UART/USART
|
Interfejs SPI
|
Interfejs TWI (I2C)
|
Interfejs CAN
|
Interfejs ETHERNET
|
Interfejs USB
|
Interfejs CRYPT
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M25P128-VMF6PB
8-bit Memory IC; 128kB-FL; 2,7~3,6V; 54MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: M25P128-VMF6TPB; M25P128-VMF6PB;
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 128kB | 2,7~3,6V | 54,000MHz | TAK | -40°C ~ 85°C | SOP16W | |||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
M25PE40-VMW6G MICRON
8-bit Memory IC; 256kB-FL; 2,7~3,6V; 75MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 512kB | 2.7~3.6V | 75MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT25QL128ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc.
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT25QU128ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc.
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT25QU512ABB8ESF-0SIT
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT29F1G01AAADDH4-IT:D MICRON
1-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; 50MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MT29F1G01AAADDH4-ITX:D
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 1-bit | 1GB | 2,7~3,6V | 50,0000MHz | -40°C ~ 85°C | VFBGA63(9x11) | ||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT29F4G16ABADAWP:D
16-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; 0÷70°C;
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 16-bit | 256MB | 2.7~3.6V | 0°C ~ 70°C | TSOP48 | |||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MT29F8G08ABABAWP-IT:B MICRON
8-bit Memory IC; 1GB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C; -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 1GB | 2.7~3.6 | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | |||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MTFC4GACAANA-4M IT
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; 52MHz; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 512MB | 2,7~3,6V | 52MHz | -40°C ~ 85°C | TBGA100 | ||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MTFC4GACAJCN-1M Micron
8-bit Memory IC; 512MB-FL; 2,7~3,6V; 52MHz; -25÷85°C; Odpowiednik: MTFC4GACAJCN-1M WT MTFC4GACAJCN-1M WT TR
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 512MB | 2,7~3,6V | 52MHz | -25°C ~ 85°C | VFBGA153 | ||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MX25L1606EM2I-12G
8-bit Memory IC; 2Mb-FL; 2,7~3,6V; 86MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: MX25L1606EM2I-12G/TUBE MX25L1606EM2I-12G/T&R
|
||||||||||||||||||||
MACRONIX | 8-bit | 2MB | 2,7~3,6V | 86MHz | -40°C ~ 85°C | SOP08W | ||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MX25L2006EM1I-12G
FLASH - NOR Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 86MHz 8-SOP MX25L2006EM1I-12G/TUBE
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
MX25L25673GM2I-08G/T&R MACRONIX
3V 256M-BIT CMOS (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY MX25L25673GM2I-08G; MX25L25673GM2I-08G/T&R; MX25L25673GM2I-08G/TR; MX25L25673GM2I-08G/TRAY; MX25L25673GM2I-08G/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
N25Q256A11EF840E
8-bit Memory IC; 32MB-FL; 1,7~2,0V; 108MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: N25Q256A11EF840E (TRAY) N25Q256A11EF840F (T&R)
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 32MB | 1,7~2,0V | 108MHz | NIE | NIE | NIE | TAK | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | VDFN8 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
N25Q256A13ESF40G
8-bit Memory IC; 32MB-FL; 2,7~3,6V; 108MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: N25Q256A13ESF40G (TUBE) N25Q256A13ESF40F (T&R)
|
||||||||||||||||||||
MICRON | 8-bit | 32MB | 2,7~3,6V | 108MHz | NIE | NIE | NIE | TAK | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | SOP16W | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
S25FL032P0XMFI011 SPANSION
Flash Memory, 32M, 2.7÷3.6V, SPI, -40÷85°C Zamiennik dla GD25Q32BSIG
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
S25FL164K0XMFI011 Cypress
8-bit Memory IC; 8Mb-FL; 2,7~3,6V; 108MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
Cypress | 8-bit | 8MB | 2.7~3.6V | 108MHz | NIE | NIE | NIE | TAK | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
S29AL008J70BFI020
Parallel Flash, Boot Sector Bot., 8Mbit (1Mx8b / 512kx16b), 70ns, 3V, -40÷85°C CFI Support
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
S34ML02G100TFI000 Spansion
8-bit Memory IC; 256MB-FL; 2,7~3,6V; -40÷85°C; Odpowiednik: S34ML02G100TFI003 (T&R)
|
||||||||||||||||||||
SPANSION | 8-bit | 256MB | 2.7~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | TSOP48 | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
SST25VF080B-50-4I-S2AF Microchip
8-bit Memory IC; 1Mb-FL; 2,7~3,6V; 50MHz; SPI; -40÷85°C;
|
||||||||||||||||||||
MICROCHIP | 8-bit | 1MB | 2.7~3.6V | 50,0000MHz | NIE | NIE | NIE | TAK | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
SST26VF064B-104I/SO Microchip Technology
FLASH 64Mb(8Mx8) 104MHz - SPI - Quad I/O 2.7V~3.6V -40+85°C 16-SOIC
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
SST39SF010A-70-4I-WHE Microchip Technology
FLASH 1Mb(128Kx8) - 70ns Parallel 4.5V~5.5V -40+85°C 32-TSOP
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
SST39SF020A-70-4I-NHE Microchip Technology
FLASH 2Mb(256Kx8) - 70ns Parallel 4.5V~5.5V -40+85°C 32-PLCC (11.43x13.97)
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
SST39VF040-70-4C-WHE
Parallel Flash, Uniform Sector, 4Mbit (512k x 8bit), 70ns, 3V, 0÷70°C SST39VF040-70-4C-WHE-T
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q128JVFIQ
Serial FLASH, SPI, 128Mbit (16M x 8-bit), 133MHz, 2.7÷3.6V, -40÷85°C W25Q128FVFIG
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q128JVPIQ
Serial FLASH, SPI, 128Mbit (16M x 8-bit), 133MHz, 2.7÷3.6V, -40÷85°C W25Q128JVPIQ/TUBE; W25Q128JVPIQ/REEL ; W25Q128JVPIQ TRAY;
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q256JVEIQ
Serial FLASH, SPI, 256Mbit (32M x 8-bit), 104MHz, 2.7÷3.6V, -40÷85°C W25Q256FVEIG W25Q256FVEIP W25Q256FVEIG W25Q256FEIF W25Q256FVEIQ
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q32JVZPIQ
Serial FLASH, Dual/Quad SPI Int. 32Mbit (4M x 8-bit), 104MHz, 2.7÷3.6V, -40÷85°C odpowiednik: W25Q32JVZPIQ-TUBE; W25Q32JVZPIQ/REEL; W25Q32JVZPIQ/TRAY; W25Q32JVZPIQ/TUBE;
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q64JVSFIQ
Serial FLASH, SPI, 64Mbit (8M x 8-bit), 133MHz, 2.7÷3.6V, -40÷85°C
|
||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||
W25Q80DVSSIG Winbond
8-bit Memory IC; 1Mb-FL; 2,7~3,6V; 104MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: W25Q80DVSSIG/TRAY; W25Q80DVSSIG/TUBE; W25Q80DVSSIG/REEL;
|
||||||||||||||||||||
Winbond | 8-bit | 1MB | 2.7~3.6V | 104MHz | NIE | NIE | NIE | TAK | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | SOIC08 | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Pamięci FLASH
Wiele współczesnych urządzeń jest wyposażonych w pamięć FLASH, która pozwala przechowywać nawet duże zasoby danych. Wykorzystuje się ją w sprzętach komputerowych, fotograficznych, smartfonach oraz innych urządzeniach elektronicznych, które wymagają posiadania dodatkowego nośnika informacji. Rodzaj pamięci FLASH ma ogromne znaczenie dla wydajności poszczególnych podzespołów, dlatego warto postawić na sprawdzone rozwiązania od najlepszych dostawców.
Pamięci FLASH – nośniki danych o dużej pojemności
Urządzenia, które przetwarzają duże ilości danych, często dysponują zbyt małą pojemnością dysku, aby przechowywać wszystkie informacje. Rozbudowa układu o dodatkową pamięć FLASH może znacząco zwiększyć dostępne miejsce do gromadzenia plików o dużym rozmiarze. Jest to typ pamięci nieulotnej, którą można nadpisywać i modyfikować elektronicznie. W przeciwieństwie do pamięci EEPROM usuwanie i zapisywanie przeprowadza się zbiorczo, co przekłada się na lepszą wydajność pracy. Zaletą pamięci FLASH jest również to, że można na niej przechowywać ogromne zasoby informacji, gdyż podzespoły dostępne są o pojemności nawet 16 GB.
Pamięć FLASH w elektronice – zastosowanie w praktyce
Technologia pamięci FLASH jest obecnie standardem stosowanym w wielu urządzeniach do użytku prywatnego i przemysłowego. Wykorzystuje się ją jako nośnik danych w:
- tabletach,
- smartfonach,
- komputerach,
- telewizorach,
- odtwarzaczach muzyki,
- systemach bezpieczeństwa,
- dekoderach cyfrowych,
- urządzeniach sieciowych i komunikacyjnych.
Pamięć FLASH w elektronice znajdzie również zastosowanie w przypadku projektowania nowych układów, w których potrzebne jest zastosowanie niestandardowych rozwiązań.
FLASH – pamięć
Asortyment naszej hurtowni internetowej obejmuje szeroki wybór produktów, wśród których znajdziesz mikrokontrolery i pamięci o różnych parametrach. Wszystkie artykuły pochodzą od czołowych producentów, co gwarantuje ich najwyższą jakość i niezawodność. Jeśli chodzi o technologię FLASH, pamięć jest dostępna w wielu opcjach, które różnią się:
- architekturą,
- zakresem napięcia zasilania,
- temperaturą pracy,
- rodzajem obudowy.
Zapraszamy do złożenia zamówienia i zapoznania się z pozostałym asortymentem naszej hurtowni.