2N5551 JSMICRO

Symbol Micros: T2N5551 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
Parametry
Moc strat: 350mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: 2N5551 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4450 0,1770 0,1040 0,0765 0,0685
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 350mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta