2N5551 SLKOR
Symbol Micros:
T2N5551 SLK
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Moc strat: | 625mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
2N5551
Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551TA; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551RLRAG; 2N5551RL1G; 2N5551ZL1G;
Producent:
MIC
Symbol producenta:
2N5551 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3690 | 0,1460 | 0,0862 | 0,0635 | 0,0568 |
Sposób pakowania: 1000/5000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
2N5551 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
Stan magazynowy
16000 szt.
| Ilość szt. | 4000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1581 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
2N5551 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
Stan magazynowy
12000 szt.
| Ilość szt. | 4000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1490 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
2N5551 JSMICRO
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
2N5551 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4450 | 0,1770 | 0,1040 | 0,0765 | 0,0685 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)