2N6491

Symbol Micros: T2N6491
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N6491G;
Parametry
Moc strat: 75W
Częstotliwość graniczna: 5MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Producent: CDIL
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N6491 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5300 1,6000 1,2600 1,1500 1,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Moc strat: 75W
Częstotliwość graniczna: 5MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Producent: CDIL
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta