2N6491G
Symbol Micros:
T2N6491 ONS
Obudowa: TO220
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parametry
| Moc strat: | 75W |
| Częstotliwość graniczna: | 5MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N6491G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6311 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N6491G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4510 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-05-31
Ilość szt.: 150
| Moc strat: | 75W |
| Częstotliwość graniczna: | 5MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
| Układy tranzystorowe [T/N]: | Nie dotyczy |