2N6517

Symbol Micros: T2N6517
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 350V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6517BU; 2N6517TA; 2N6517CTA;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 350V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N6517BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
13 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5700 0,3770 0,3140 0,2950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: YFW Symbol producenta: 2N6517 RoHS Obudowa dokładna: TO92t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9030 0,4940 0,3240 0,2920 0,2580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N6517TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 2000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,2950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 350V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN