AO3422
Symbol Micros:
TAO3422
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3422A UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 125mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3422 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
AO3422A RoHS AR2V...
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8510 | 0,4300 | 0,2590 | 0,2050 | 0,1890 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
Producent:
MSKSEMI
Symbol producenta:
AO3422 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5370 | 0,3200 | 0,2650 | 0,2380 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)