AOI4185
Symbol Micros:
TAOI4185
Obudowa: TO251A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 40A |
Maksymalna tracona moc: | 62,5W |
Obudowa: | TO251A |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOI4185 RoHS
Obudowa dokładna: TO251A
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,3700 | 1,7500 | 1,5100 | 1,3900 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOI4185 RoHS
Obudowa dokładna: TO251A
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 90+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0000 | 1,6500 | 1,4800 | 1,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 40A |
Maksymalna tracona moc: | 62,5W |
Obudowa: | TO251A |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |