BC807-25,215

Symbol Micros: TBC80725
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
Tranzystor PNP; 400; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik:BC807-25LT1G; BC807-25 RF; BC807-25.215; BC807-25,235;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1050 0,0765 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/60000
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-25,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
47850 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1050 0,0765 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC807-25,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
159000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0809
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC807-25,235 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
440000 szt.
ilość szt. 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0809
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC807-25,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
117028 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0809
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP