BC807-25LT1G ONS

Symbol Micros: TBC80725 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25LT3G;
Parametry
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-25LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3210 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4300 0,1700 0,0990 0,0725 0,0662
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-25LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
579000 szt.
ilość szt. 60000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0662
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-25LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
270000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0662
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-25LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,0662
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP