BC817-16,215
Symbol Micros:
TBC81716
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 250; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI); BC817-16 SMD;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT723 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT723 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC817-16 DIOTEC
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16-7-F; BC817-13-F; BC817-16-DIO;
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC817-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
12000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3510 | 0,1380 | 0,0808 | 0,0591 | 0,0540 |
Sposób pakowania: 3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-16 GALAXY
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16LT1G; BC817-16LT3G; BC817-16 RFG; BC817-16-7-F; BC817-16-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC817-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1900 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3230 | 0,1240 | 0,0607 | 0,0483 | 0,0461 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)