BC817-16 DIOTEC

Symbol Micros: TBC81716 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16-7-F; BC817-13-F; BC817-16-DIO;
Parametry
Moc strat: 310mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC817-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3510 0,1380 0,0808 0,0591 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC817-16 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
99489 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-24
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 310mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta