BC817-16 DIOTEC
Symbol Micros:
TBC81716 DIO
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16-7-F; BC817-13-F; BC817-16-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC817-16,215
Tranzystor NPN; 250; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI); BC817-16 SMD;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC817-16,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
28507 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3250 | 0,1280 | 0,0748 | 0,0547 | 0,0500 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-16 GALAXY
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16LT1G; BC817-16LT3G; BC817-16 RFG; BC817-16-7-F; BC817-16-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC817-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1900 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3230 | 0,1240 | 0,0607 | 0,0483 | 0,0461 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)