BC817-40 Diodes

Symbol Micros: TBC81740 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 600; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40-7-F; BC817-40-13-F;
Parametry
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BC817-40-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
8570 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,4460 0,1770 0,0886 0,0706 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN