BC817-40 DIOTEC

Symbol Micros: TBC81740 DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 630; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40-DIO;
Parametry
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,3410 0,1360 0,0678 0,0540 0,0525
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Moc strat: 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN