BC847BS GALAXY

Symbol Micros: TBC847bs GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 450; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN