BC847BS JSMICRO

Symbol Micros: TBC847bs JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BC847BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4490 0,1770 0,1030 0,0755 0,0690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta