BC847CE6327 INF

Symbol Micros: TBC847c inf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 330mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CE6327HTSA1; BC847CE6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847CE6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5200 0,2380 0,1300 0,0970 0,0866
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847CE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
87000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1078
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847CE6433HTMA1 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1078
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN