BC847CE6327 INF
Symbol Micros:
TBC847c inf
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 330mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CE6327HTSA1; BC847CE6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: | 330mW |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847CE6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5200 | 0,2380 | 0,1300 | 0,0970 | 0,0866 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847CE6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
87000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1096 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847CE6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1096 |
Moc strat: | 330mW |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |