BC847CLT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847c ons
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CLT3G;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847CLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3740 | 0,1480 | 0,0862 | 0,0630 | 0,0576 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
54023 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0576 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847CLT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
370000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0576 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
36000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0576 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |