BDX53C

Symbol Micros: TBDX53c

Obudowa: TO220

Tranzystor NPN; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	60W
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Producent:	STMicroelectronics
Obudowa:	TO220
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C

Producent: ST Symbol producenta: BDX53C RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,7600	1,7500	1,3800	1,2600	1,2000

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
50/1000 Ilość (wielokrotność: 1)

Towar w drodze

Planowany termin:
2024-07-31

Ilość szt.: 1000

Moc strat:	60W
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Producent:	STMicroelectronics
Obudowa:	TO220
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	NPN