BSH111
Symbol Micros:
TBSH111
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 335mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSH111 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4100 | 1,4500 | 1,1100 | 0,9970 | 0,9630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH111BKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH111BKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH111BKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 335mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |