IRF1404
Symbol Micros:
TIRF1404
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 202A |
Maksymalna tracona moc: | 333W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1404PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,7300 | 5,1300 | 4,2500 | 3,7200 | 3,5400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1404PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
525 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1404PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
640 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,0021 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 202A |
Maksymalna tracona moc: | 333W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |