IRF1405PBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF1405 MOS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1405PBF; SP001574466;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF1405
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
140 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 6,2500 | 4,7700 | 3,9500 | 3,4600 | 3,2900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
261050 szt.
| Ilość szt. | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,2900 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
910 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 3,5281 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
1155 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 3,2900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)