IRF3205PBF

Symbol Micros: TIRF3205
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3205PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
1 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0000 3,3200 2,5700 2,4800 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF3205PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
450 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0000 3,3200 2,5700 2,4800 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3205PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
7736 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF3205PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
8942 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3205PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6410 szt.
ilość szt. 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta