IRF3205PBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF3205 MOS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; SP001559536;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF3205PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRF3205PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
290 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
| cena netto (PLN) | 5,0000 | 3,3200 | 2,5700 | 2,4800 | 2,3800 |
Sposób pakowania: 50/500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3205PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
3484 szt.
| Ilość szt. | 400+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF3205PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
5470 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
D3205 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF;
Producent:
WXDH
Symbol producenta:
D3205 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
42 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,9300 | 2,4900 | 1,9700 | 1,7700 | 1,7100 |
Sposób pakowania: 50/250
Ilość (wielokrotność 1)