IRF3710

Symbol Micros: TIRF3710
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF3710PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-25
Ilość szt.: 2000
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT