IRF3710

Symbol Micros: TIRF3710
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF3710PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3710PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: - Symbol producenta: IRF3710PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
262 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5217
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta