IRF3710
Symbol Micros:
TIRF3710
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
72 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3900 | 3,2200 | 2,5800 | 2,2200 | 2,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
SKG45N10-T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
SKG45N10-T RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
36 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 3,6600 | 2,3000 | 1,8000 | 1,7000 | 1,5900 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)
IRF3710PBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
IRF3710PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
50 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4600 | 1,9400 | 1,7700 | 1,6900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)