IRF520N

Symbol Micros: TIRF520n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 9,7A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF520N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
130 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4100 3,2400 2,6000 2,2300 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/750
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF520NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
18038 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF520NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1540 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta