IRF5305PBF

Name: TIRF5305 TIRF5305
Brand: Infineon
SKU: TIRF5305
Price: 2.000000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF5305

Obudowa: TO220

Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	60mOhm
Maksymalny prąd drenu:	31A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO220
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF5305 RoHS Obudowa dokładna: TO220

Stan magazynowy:

1246 szt.

ilość szt.	1+	3+	10+	50+	200+
cena netto (PLN)	4,2000	3,0800	2,4700	2,1200	2,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

121934 szt.

ilość szt.	1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

40911 szt.

ilość szt.	400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

3880 szt.

ilość szt.	1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,0000

Rezystancja otwartego kanału:	60mOhm
Maksymalny prąd drenu:	31A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO220
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	2+	10+	50+	100+	400+
cena netto (PLN)	2,7400	1,7200	1,3500	1,2700	1,1900