IRF5305PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF5305 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta