IRFR3710ZPBF Infineon

Name: TIRFR3710z TIRFR3710z
Brand: International Rectifier
SKU: TIRFR3710z
Price: 2.570000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR3710z

Obudowa: DPAK

Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZPBF-GURT;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	18mOhm
Maksymalny prąd drenu:	56A
Maksymalna tracona moc:	140W
Obudowa:	DPAK
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR3710ZTRPBF RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r

Stan magazynowy:

280 szt.

ilość szt.	1+	5+	20+	100+	300+
cena netto (PLN)	4,8800	3,4100	2,8900	2,6400	2,5700

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3710ZTRPBF Obudowa dokładna: DPAK

Magazyn zewnetrzny:

1632000 szt.

ilość szt.	2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,5700

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3710ZTRPBF Obudowa dokładna: DPAK

Magazyn zewnetrzny:

90000 szt.

ilość szt.	2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,5700

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3710ZTRLPBF Obudowa dokładna: DPAK

Magazyn zewnetrzny:

3000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,5700

Rezystancja otwartego kanału:	18mOhm
Maksymalny prąd drenu:	56A
Maksymalna tracona moc:	140W
Obudowa:	DPAK
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	1+	5+	20+	100+	500+
cena netto (PLN)	4,3900	2,9200	2,4200	2,1800	2,0900

Ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,6800	2,3300	1,8400	1,6800	1,6000