IRFR3710ZTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR3710z JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 62W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRFR3710ZTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,3900 2,9200 2,4200 2,1800 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 62W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD