IRFR3910

Symbol Micros: TIRFR3910
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3910TRPBF; IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 115mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3910TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9378
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3910TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
650 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1137
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 115mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta