IRFR3910TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR3910 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 125mOhm; 12A; 34,7W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRFR3910TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,2000 0,9240 0,8330 0,7930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD