IRLL014TRPBF
Symbol Micros:
TIRLL014
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLL014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
850 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,3700 | 1,4400 | 1,1100 | 0,9970 | 0,9490 |
Producent: -
Symbol producenta: IRLL014TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9490 |
Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |