IRLL014N smd

Symbol Micros: TIRLL014n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLL014NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
791 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,2000 0,9200 0,8300 0,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLL014NTR RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 1,9800 1,2000 0,9220 0,8180 0,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1200
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD