IRLL014N smd

Symbol Micros: TIRLL014n

Obudowa: SOT223

Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	280mOhm
Maksymalny prąd drenu:	2,8A
Maksymalna tracona moc:	2,1W
Obudowa:	SOT223
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLL014NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r

Stan magazynowy:

391 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,9800	1,2000	0,9200	0,8300	0,7900

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLL014NTR RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

1200 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	300+	1200+
cena netto (PLN)	1,9800	1,2000	0,9220	0,8180	0,7900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

440000 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,7900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

27500 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,7900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

21900 szt.

ilość szt.	50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,8475

Rezystancja otwartego kanału:	280mOhm
Maksymalny prąd drenu:	2,8A
Maksymalna tracona moc:	2,1W
Obudowa:	SOT223
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	16V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	1+
cena netto (PLN)	0,9490

Ilość szt.	3+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,6900	1,1100	0,7930	0,6940	0,6500

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	1500+
cena netto (PLN)	1,4300	0,9390	0,6750	0,5780	0,5500