IRLML2502
Symbol Micros:
TIRLML2502
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
574 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
16968 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
2996 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
165400 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4040 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2502TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
253000 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4040 |
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |