IRLML2502TRPBF LGE
Symbol Micros:
TIRLML2502 LGE
501735
TIRLML2502 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336; C-CDM2502;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML2502
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
574 szt.
Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
17368 szt.
Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
4 szt.
Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Sposób pakowania: 4
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2996 szt.
Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,5900 | 0,4570 | 0,4220 | 0,4040 |
Sposób pakowania: 2996
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
135000 szt.
Ilość szt. | 3000+ |
cena netto (PLN) | 0,4040 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
271800 szt.
Ilość szt. | 100+ |
cena netto (PLN) | 0,4040 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
9029 szt.
Ilość szt. | 1+ |
cena netto (PLN) | 0,6942 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
SKML2502 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Edytuj Symbol
Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta
Symbol Micros
Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Dodaj symbol
Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Podana nazwa jest zajeta
Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.