IRLR8726TRPBF

Symbol Micros: TIRLR8726
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 86A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
4000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4650 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8784
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-30
Ilość szt.: 10000
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 86A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD