IRLR8726TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLR8726 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
350 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3700 0,8980 0,6450 0,5530 0,5260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD