MJE15031

Symbol Micros: TMJE15031
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE 15031 G; MJE15031G; TMJE15031;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Producent: CDIL Symbol producenta: MJE15031 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
1080 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15031G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15031G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8431
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15031G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP