PDTC114ET,215
Symbol Micros:
TPDTC114et
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 250mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114ET,115; PDTC114ET,235; PDTC114ET,215; NTE2414; PDTC114ET; PDTC114ET.215; PDTC114ET.235;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC114ET,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
69290 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114ET,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
610000 szt.
ilość szt. | 70000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
161000 szt.
ilość szt. | 69000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114ET,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
279000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0590 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |