PDTC114ET SLKOR

Symbol Micros: TPDTC114et SLK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114ET,215; PDTC114ET,235;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: SLKOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: SLKOR Symbol producenta: PDTC114ET RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Producent: SLKOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN