STP100NF04

Symbol Micros: TSTP100NF04
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 4,6mOhm; 120A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP100NF04$K;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 120A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP100NF04 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,6400 9,2000 8,3400 7,8000 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP100NF04 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1556 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP100NF04 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP100NF04 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
850 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 120A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT