STP100NF04
Symbol Micros:
TSTP100NF04
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 4,6mOhm; 120A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP100NF04$K;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 120A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,6400 | 9,2000 | 8,3400 | 7,8000 | 7,6000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1556 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
850 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 120A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |