STP100NF04
Symbol Micros:
TSTP100NF04
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 4,6mOhm; 120A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP100NF04$K;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3755 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
850 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9855 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100NF04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1556 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1698 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |