STW25NM60ND

Symbol Micros: TSTW25NM60ND
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW25NM60ND RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 18,9200 16,8200 15,5600 14,9300 14,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT