TSM2312CX RFG
Symbol Micros:
TTSM2312cx
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 4,9A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2312CX-RFG; TSM2312CXRFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 51mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
Maksymalna tracona moc: | 750mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 51mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
Maksymalna tracona moc: | 750mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |