Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD200G
Trans GP BJT NPN 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD200RLG MJD200T4G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJD200T4G Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MJD31CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor NPN; 50; 1,6W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MJD31CAJ Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 50 | 1,6W | 100V | 3A | 3MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | |||||
MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc.
BJT - MJD SERIES Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: MJD31CH-QJ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
104500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
ST13003-K
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 40000mW
|
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: ST13003-K Obudowa dokładna: SOT32 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MJL21196G
NPN 16A 250V 200W 4MHz
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJL21196G Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 4MHz | ||||||||||||
MJL4302AG
PNP 15A 250V 230W 35MHz MJL4302A
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MJL4302AG Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 35MHz | ||||||||||||
MMBT589LT1G ONSemicondutor
PNP 30V 1A 310mW 100MHz
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT589LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN2213T1G ONSemicondutors
NPN 50V 100mA 246mW MUN2213T1G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2213T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2213T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5114DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5114DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5115T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5115T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5133T1G ONSemiconductor
PNP 50V 100mA 202mW
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5133T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1869000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5235T1G
NPN 50V 100mA 230mW z rez. 2.2k+47k
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5235T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5235T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | |||||||||||||
NHDTA114YUX
NHDTA114YU/SOT323/SC-70 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NHDTA114YUX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NHDTC114YUX
NHDTC114YU/SOT323/SC-70 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: NHDTC114YUX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NJVMJD122T4G
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK NJVMJD122T4G-VF01
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NJVMJD122T4G Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSS12100UW3TCG
Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS12100UW3TCG Obudowa dokładna: WDFN3(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NST3904F3T5G
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 347mW 3-Pin SOT-1123
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NST3904F3T5G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NST847BPDP6T5G
Trans Dual Complementary General Purpose Transistor
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NST847BPDP6T5G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVBC817-40WT1G
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVBC817-40WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVBC817-40WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVBC847BTT1G
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVBC847BTT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVBC857BTT1G
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVBC857BTT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVDTA114EM3T5G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVDTA114EM3T5G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVMMUN2132LT1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVMMUN2132LT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
NSVMMUN2133LT1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSVMMUN2133LT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS4041NT
Trans GP BJT NPN 60V 3.8A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R PBSS4041NT,215
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4041NT,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4041NT,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS4130T
Trans GP BJT NPN 30V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R PBSS4130T,215
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4130T,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4130T,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS4160DS
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 220MHz 420mW PBSS4160DS,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4160DS,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4160DS,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
86000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4160DS,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS4560PA
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2100mW 3-Pin HUSON PBSS4560PA,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4560PA,115 Obudowa dokładna: HUSON3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS5130T
PNP 1A 30V 480mW 200MHz
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS5130T,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200MHz | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS5130T,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200MHz | ||||||||||||
PBSS5320X
BIPOLAR TRANS, PNP, 20V, 3A, SOT-89 PBSS5320X,135
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS5320X,135 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS5320X,135 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!